————————

冯言这次是被迫回来的。

她在学校里舒舒服服过了小半年，悠哉悠哉，爽得很。这段时间里，她的社交圈扩大了很多，到哪里都是焦点人物，很受欢迎。

她的价值在这段时间不但没有降低，而且还高开高走，与很多公司都建立了联系。如果她想做项目，大把的资金和项目就会蜂拥而来。这跟郝云丽到处求项目和资金，截然相反。

由于日子过得很舒服，她都想就这么混下去了。但是随着郝云丽的一篇大论文，她的好日子突然结束了。

郝云丽在sce上发表一篇震动世界的论文，至少是震动了爱德华实验室。

郝云丽以前有过一次发表在s顶级期刊的机会，但是王教授为了抢时间，放弃了。

这次她终于如愿以偿。

而且这篇论文不是普通的顶级论文，据爱德华教授评价，这是一篇有诺贝尔奖潜力的论文！

这使得很多前段时间，反复与郝云丽讨价还价的实验室和机构后悔不已。

爱德华实验室也是有机会留下郝云丽的，爱德华教授现在虽然什么也不说，但是看冯言的眼光都变了。不仅仅是他，所有人都把希望寄托在了冯言身上。

同样的出身，类似的科研履历，冯言甚至还有产业界的支持。大家开始对她的几个月毫无作为不满了。

郝云丽在匹兹堡大学和爱德华实验室里已经成了传说。她过去的一些战绩，例如她发表的总论文数，也被大家津津乐道。

相应的，对冯言的期望值，也提高了不只是一个档次。

冯言抵不住这种压力，干脆就返回了冰城。

———————

与叶静讨论之后，她就去找成永兴。但是两个人一见面，她就被安排了新的任务。

igbt。iebipolartransistor，绝缘栅双极型晶体管，应用范围非常广泛，它包括了变频，变压，开关电源等。在后世，它的应用场景包括了轨道交通，电动汽车等。

在1992年，igbt也不是什么新概念。

1979年的时候，mos栅功率开关器件作为igbt概念的先驱就已经出现了。

这个技术一面世，就吸引了世界各半导体厂家的注意。多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件，刚开始各公司对其称谓也不同。

随着时间的流逝，igbt的技术也日渐成熟，一些新的制造工艺（dmos）被采用，各种不同的结构，被各厂家进行试探，并有所成就。

时间走入90年代的时候，随着大规模集成电路工艺的逐步成熟，有一些半导体生产中采用的工艺，很快就会被igbt研究人员引入。

硅芯片的垂直结构（3d），给igbt的设计，带来了巨大的改变。

在90年代中期，igbt的结构，先后出现了多次技术突破。

其中比较有名的有，npt-igbt（穿透式），lpt-igbt（弱穿透），这一波里，最重要的技术是cstbt。至此第五代igbgt才算正式成熟。

这个技术方向，成永兴盯了很久了，因为它的经济价值非常大，甚至不弱于led，但一直苦于没有人手。

随着时间的流逝，这些技术面世的窗口，也在慢慢关闭。

所以，冯言一回来，就被他立刻抓了差。